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アイテム
不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/96091
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/960910bb022b1-8904-44b0-bfe7-5ac1460becf9
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]()
2100年1月1日からダウンロード可能です。
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Copyright (c) 2013 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
This SIG report is only available to those in membership of the SIG. |
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SLDM:会員:¥0, DLIB:会員:¥0 |
Item type | SIG Technical Reports(1) | |||||||
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公開日 | 2013-11-20 | |||||||
タイトル | ||||||||
タイトル | 不揮発メモリを対象とした書き込み削減手法のエネルギー評価 | |||||||
タイトル | ||||||||
言語 | en | |||||||
タイトル | Energy Evaluation of Writing Reduction Method for Non-Volatile Memory | |||||||
言語 | ||||||||
言語 | jpn | |||||||
キーワード | ||||||||
主題Scheme | Other | |||||||
主題 | 低消費電力技術 | |||||||
資源タイプ | ||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh | |||||||
資源タイプ | technical report | |||||||
著者所属 | ||||||||
早稲田大学大学院基幹理工学研究科情報理工学専攻 | ||||||||
著者所属 | ||||||||
早稲田大学大学院情報生産システム研究科 | ||||||||
著者所属 | ||||||||
稲田大学大学院基幹理工学研究科電子光システム学専攻 | ||||||||
著者所属 | ||||||||
早稲田大学大学院基幹理工学研究科情報理工学専攻 | ||||||||
著者所属(英) | ||||||||
en | ||||||||
Dept. of Computer Science and Engineering, Waseda University | ||||||||
著者所属(英) | ||||||||
en | ||||||||
Graduate School of Infomation, Production and Systems, Waseda University | ||||||||
著者所属(英) | ||||||||
en | ||||||||
Dept. of Electronic and Photonic Systems, Waseda University | ||||||||
著者所属(英) | ||||||||
en | ||||||||
Dept. of Computer Science and Engineering, Waseda University | ||||||||
著者名 |
多和田, 雅師
木村, 晋二
柳澤, 政生
戸川, 望
× 多和田, 雅師 木村, 晋二 柳澤, 政生 戸川, 望
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著者名(英) |
Masashi, Tawada
Shinji, Kimura
Masao, Yanagisawa
Nozomu, Togawa
× Masashi, Tawada Shinji, Kimura Masao, Yanagisawa Nozomu, Togawa
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論文抄録 | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | 近年の高集積化に伴い消費電力全体に対するリーク電力の割合が高まっている.不揮発メモリはリーク電力をほとんど消費しないため次世代のメモリとして期待されている.不揮発メモリは通常のメモリより書き込み時に電力を消費する問題がある.不揮発メモリの書き込み電力を低減するためには,書き込みピット数を削減する手法が考えられる.メモリの値をある値から違う値へ書き換えるとき,実際に保存する値を符号化することで,本来書き換えるビット数よりも実際に書き込むピット数を少なくすることができる.本稿では不揮発メモリを対象とした書き込みピット数削減手法のエネルギーを評価する. | |||||||
論文抄録(英) | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | Non-volatile memory has many advantages over SRAM, such as high density, low leakage power, and non-volatility. However, one of its largest problems is that it consumes a large amount of energy in writing. It is quite necessary to reduce the number of writing bits and thus decrease its writing energy.We have proposed a memory writing reduction method based on error correcting codes. When a data is written into a memory, we do not write it directly but encode it into a codeword. Then the number of writing bits into memory is also limited in data writing. In this paper, we demonstrate several experimental evaluations from the viewpoints of energy reduction and discuss the effectiveness of our proposed writing-reduction codes. | |||||||
書誌レコードID | ||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
収録物識別子 | AA11451459 | |||||||
書誌情報 |
研究報告システムLSI設計技術(SLDM) 巻 2013-SLDM-163, 号 26, p. 1-6, 発行日 2013-11-20 |
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Notice | ||||||||
SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc. | ||||||||
出版者 | ||||||||
言語 | ja | |||||||
出版者 | 情報処理学会 |