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半正定値緩和法を用いた LELECUT トリプルパターニングのためのレイアウト分割手法
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/101419
https://ipsj.ixsq.nii.ac.jp/records/101419752a9756-a883-440c-b9a2-1a97765e67d3
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
IPSJ-SLDM14166006.pdf (358.9 kB)
2100年1月1日からダウンロード可能です。
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Copyright (c) 2014 by the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers This SIG report is only available to those in membership of the SIG.
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| SLDM:会員：¥0, DLIB:会員：¥0 | ||
| Item type | SIG Technical Reports(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2014-05-22 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 半正定値緩和法を用いた LELECUT トリプルパターニングのためのレイアウト分割手法 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| 言語 | en | |||||||
| タイトル | LELECUT Triple Patterning Lithography Layout Decomposition using Positive Semidefinite Relaxation | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| キーワード | ||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||
| 主題 | 物理設計 | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh | |||||||
| 資源タイプ | technical report | |||||||
| 著者所属 | ||||||||
| 会津大学 | ||||||||
| 著者所属 | ||||||||
| 東京工業大学 | ||||||||
| 著者所属 | ||||||||
| 株式会社東芝 | ||||||||
| 著者所属 | ||||||||
| 株式会社東芝 | ||||||||
| 著者所属 | ||||||||
| 東京工業大学 | ||||||||
| 著者所属 | ||||||||
| 株式会社東芝 | ||||||||
| 著者所属 | ||||||||
| 株式会社東芝 | ||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||
| en | ||||||||
| The University of Aizu | ||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||
| en | ||||||||
| Tokyo Institute of Technology | ||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||
| en | ||||||||
| Toshiba Corporation | ||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||
| en | ||||||||
| Toshiba Corporation | ||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||
| en | ||||||||
| Tokyo Institute of Technology | ||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||
| en | ||||||||
| Toshiba Corporation | ||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||
| en | ||||||||
| Toshiba Corporation | ||||||||
| 著者名 |
小平, 行秀
松井, 知己
横山, 陽子
児玉, 親亮
高橋, 篤司
野嶋, 茂樹
田中, 聡
× 小平, 行秀 松井, 知己 横山, 陽子 児玉, 親亮 高橋, 篤司 野嶋, 茂樹 田中, 聡
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| 著者名(英) |
Yukihide, Kohira
Tomomi, Matsui
Yoko, Yokoyama
Chikaaki, Kodama
Atsushi, Takahashi
Shigeki, Nojima
Satoshi, Tanaka
× Yukihide, Kohira Tomomi, Matsui Yoko, Yokoyama Chikaaki, Kodama Atsushi, Takahashi Shigeki, Nojima Satoshi, Tanaka
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| 論文抄録 | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | 次世代リソグラフイ技術として，2 つのマスクをパタン形成のために，3 つ目のマスクを形成したパタンを削除するためのカットとして使用する LELECUT タイプのトリプルパターニングが議論されている．本稿では，与えられたレイアウトのパタンを形成するために，半正定植緩和法とランダマイズド算法を用いて LELECUT トリプルパターニングの 3 つのマスクのパタン形状を求める手法を提案する． | |||||||
| 論文抄録(英) | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | One of the most promising techniques in the 14 nm logic node and beyond is triple patterning lithography (TPL). Recently, LELECUT type TPL technology, where the third mask is used to cut the patterns, is discussed to alleviate native conflict and overlay problems in LELELE type TPL. In this paper, we formulate LELECUT decomposition problem which maximizes the compliance to the lithography and apply positive semidefinite relaxations. In our proposed methods, LELECUT decomposition is obtained from an optimum solution of the positive semidefinite relaxations by randomized rounding technique. | |||||||
| 書誌レコードID | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
| 収録物識別子 | AA11451459 | |||||||
| 書誌情報 |
研究報告システムとLSIの設計技術（SLDM） 巻 2014-SLDM-166, 号 6, p. 1-6, 発行日 2014-05-22 |
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| Notice | ||||||||
| SIG Technical Reports are nonrefereed and hence may later appear in any journals, conferences, symposia, etc. | ||||||||
| 出版者 | ||||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 出版者 | 情報処理学会 | |||||||
