WEKO3
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GaN薄膜の基板材料およびエピタキシャル成長に関する結晶学的研究
https://doi.org/10.11501/3152265
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
本文_fulltext (16.0 MB)
|
|
Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2011-12-07 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | GaN薄膜の基板材料およびエピタキシャル成長に関する結晶学的研究 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||
資源タイプ | doctoral thesis | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.11501/3152265 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | GaN ハクマク ノ キバン ザイリョウ オヨビ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケッショウガクテキ ケンキュウ | |||||
著者 |
加藤, 智久
× 加藤, 智久 |
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著者別名 | ||||||
姓名 | Kato, Tomohisa | |||||
学位名 | ||||||
学位名 | 博士(工学) | |||||
学位授与番号 | ||||||
学位授与番号 | 甲第245号 | |||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 1999-03-24 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
学位授与機関 | ||||||
学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||
学位授与機関識別子 | 13903 | |||||
学位授与機関名 | 名古屋工業大学 | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 主査:奥田 高士 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | GaN | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | ハクマク | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | エピタキシャル | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | セイチョウ | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf |